Indium oxide ເປັນອຸປະກອນການທໍາງານຂອງ semiconductor ໂປ່ງໃສ N-type ທີ່ມີຊ່ອງຫວ່າງກວ້າງ, ຄວາມຕ້ານທານຂະຫນາດນ້ອຍ, ແລະກິດຈະກໍາ catalytic ສູງ.ໃນເວລາທີ່ຂະຫນາດອະນຸພາກ indium oxide ຮອດລະດັບ nanometer, ນອກເຫນືອໄປຈາກຫນ້າທີ່ຂ້າງເທິງນີ້, ມັນຍັງມີນອກເຫນືອໄປຈາກຜົນກະທົບດ້ານ, ຜົນກະທົບຂະຫນາດ quantum, ຜົນກະທົບຂະຫນາດຂະຫນາດນ້ອຍແລະຜົນກະທົບ tunneling macroscopic quantum ຂອງ nanomaterials, nano-indium oxide ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ. ອຸປະກອນ optoelectronic, ຈຸລັງແສງຕາເວັນ, ຈໍສະແດງຜົນໄປເຊຍກັນຂອງແຫຼວ ແລະເຊັນເຊີແກັດ.

ການທົດລອງເຈ້ຍຊີ້ໃຫ້ເຫັນວ່າເຊັນເຊີອາຍແກັສທີ່ເຮັດໂດຍ In2O3 nanoparticles ມີຄວາມອ່ອນໄຫວສູງຕໍ່ກັບອາຍແກັສຈໍານວນຫຼາຍເຊັ່ນ: ເຫຼົ້າ, HCHO, NH3, ແລະອື່ນໆທີ່ໃຊ້ເວລາຕອບສະຫນອງແມ່ນຫນ້ອຍກ່ວາ 20 s ແລະເວລາການຟື້ນຕົວແມ່ນຕ່ໍາກວ່າ 30 s.